سامسونج تبدأ الإنتاج الشامل للجيل الثاني من ذواكر 16GB LPDDR4X DRAM

أعلنت شركة سامسونج الأسبوع الماضي أنها تمكنت من تطوير أول ذاكرة وصول عشوائي “رام” LPDDR5 DRAM في السوق وفق عملية التصنيع 10 نانومتر وبحجم 8 غيغابايت.

واليوم أعلنت الشركة الكورية الجنوبية أنها بدأت مرحلة الإنتاج الشامل لأول دفعة في الصناعة من الجيل الثاني من ذواكر 10-nm 16Gb LPDDR4X DRAM، التي قالت إنها تحسن الكفاءة وتخفض استنزاف البطارية للهواتف الذكية الرائدة الحالية وغيرها من تطبيقات الجوال.

وبالمقارنة مع شرائح الذاكرة DRAM المحمولة الأكثر استخدامًا في الأجهزة المحمولة الرئيسية الحالية (وهي الجيل الأول من ذواكر 16Gb LPDDR4X DRAM)، يتميز الجيل الثاني من ذواكر 16Gb LPDDR4X DRAM بأنه يوفر ما نسبته 10% من استهلاك الطاقة مع الحفاظ على نفس معدل نقل البيانات البالغ 4,266 ميغابت في الثانية.

وقالت سامسونج إنها صنعت حزمة ذاكرة “رام” للهواتف المحمولة LPDDR4X DRAM بحجم 8 غيغابايت مكونة من أربع شرائح 10nm-class 16Gb LPDDR4X DRAM ( من المعلوم أن 16 غيغابت = 2 غيغابايت). وأضافت أن هذه الحزمة رباعية القنوات يمكنها استيعاب معدل بيانات قدره 34.1 غيغابايت في الثانية، ثم إن سماكتها أقل من الجيل الأول بنسبة 20%، الأمر الذي يسمح للشركات بصناعة هواتف ذكية أرق من الحالية.

وبحسب سامسونج، فإن الذواكر الجديدة ستتيح حلولًا محسنةً بشكل كبير للأجهزة المحمولة الرائدة من الجيل التالي التي يجب أن تصل إلى السوق في وقت متأخر من هذا العام أو خلال الجزء الأول من عام 2019.

مصدر Samsung
قد يعجبك أيضًا

اترك ردًا

لن يتم نشر عنوان بريدك الإلكتروني.